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Ge-based channel MOSFETs - Process Integration and Performance Evaluation for Sub-22nm Node Digita…
von Se-Hoon Lee
2011 Kartoniert, 160 Seiten, 220mm x 150mm x 10mm, Sprache(n): eng This work presents research on high mobility channel MOSFET structures (planar and non-planar) using group IV material (mainly SiGe) for enhanced performance and reduced operating power. This work especially focuses on improving…
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Anbieter: MARZIES Buch- und Medienhandel, Schönwalde-Glien, Deutschland
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- Autor
- Se-Hoon Lee
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