Neuware
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz
von Ksenia Nosaeva
2016 Kartoniert, 154 Seiten, 210mm x 148mm x 8mm, Sprache(n): eng This work describes the improvement in thermal management of InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) fabricated with a transferred-substrate process. The availability of nanocrystalline CVD diamond-on-silicon (Si) ha…
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Anbieter: MARZIES Buch- und Medienhandel, Schönwalde-Glien, Deutschland
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- Ksenia Nosaeva
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