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Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
von Yabin Sun
2017 Gebunden, 192 Seiten, 241mm x 160mm x 17mm, Sprache(n): eng Nominated as an outstanding PhD dissertation by Tsinghua University, China Proposes a new technique for detecting displacement damage in silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) with swift heavy ions inste…
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Anbieter: MARZIES Buch- und Medienhandel, Schönwalde-Glien, Deutschland
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- ISBN / EAN
- 9789811046117
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