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Indium phosphide HBT in thermally… - 9783736992870 (ISBN)

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ISBN / EAN
9783736992870
ISBN: 9783736992870
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Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz

Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz

von Ksenia Nosaeva

2016 Kartoniert, 154 Seiten, 210mm x 148mm x 8mm, Sprache(n): eng This work describes the improvement in thermal management of InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) fabricated with a transferred-substrate process. The availability of nanocrystalline CVD diamond-on-silicon (Si) ha…

Neuware
Bestell-Nr.: A27207719
ISBN: 3736992874
Anbieter: MARZIES Buch- und Medienhandel, Schönwalde-Glien, Deutschland

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9783736992870
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